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    深圳市维品佳科技有限公司

  • 公司认证: 营业执照已认证
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    成立时间:
  • 公司地址: 广东省 深圳市 福田区 华强北街道 振中路鼎城国际大厦605
  • 姓名: 陈小姐
  • 认证: 手机未认证 身份证未认证

    公司动态

    MOS场效应管厂家

  • 时间:2020-07-02浏览数:156来源:
  • 深圳市维品佳科技有限公司代理、分销世界名牌厂家生产的电源IC、场效应管、二极管、三极管、可控硅、快恢复、肖特基、光耦、单片机等电子元器件,佳仕达一向以优质品质,服务周到’为发展方针,我们提供的服务主要包括: 方案与技术支持以及售后服务 提供高性能、高品质电源IC。 方案与技术支持以及售后服务 提供高性能、高品质电源IC。 并为客户提供电源解决方案和优良的技术服务。

    MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管),属于绝缘栅型。


    根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时,管子是呈截止状态;加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。
    以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。电位方向是从外向里,表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。
    国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管)。
    MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起,或装在金属箔内,使G极与S极呈等电位,防止积累静电荷。管子不用时,全部引线也应短接。在测量时应格外小心,并采取相应的防静电感措施。




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