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    深圳市维品佳科技有限公司

  • 公司认证: 营业执照已认证
  • 企业性质:
    成立时间:
  • 公司地址: 广东省 深圳市 福田区 华强北街道 振中路鼎城国际大厦605
  • 姓名: 陈小姐
  • 认证: 手机未认证 身份证未认证

    批发MOS管JST5N60P

    更新时间:2020-06-20 浏览数:86
    发货地址:广东省深圳市福田区华强北街道  
    产品规格:
    产品数量:9999.00个
    包装说明:
    单 价:0.10 元/个

    PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管
    全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor
    别名 : positive MOS
    金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
    P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
    MOSFET共有三个脚,一般为G、D、S,通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像,所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说,NMOS是在P型硅的衬底上,通过选择掺杂形成N型的掺杂区,作为NMOS的源漏区;PMOS是在N型硅的衬底上,通过选择掺杂形成P型的掺杂区,作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L,而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构,器件源漏是完全对称的,只有在应用中根据源漏电流的流向才能后确认具体的源和漏。
    PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底,其中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴,源漏区的掺杂类型是P型,所以,PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压,亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子,而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层,不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响,衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时,在相对于源端为负的漏源电压的作用下,源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端,形成从源到漏的源漏电流。同样地,VGS越负(值越大),沟道的导通电阻越小,电流的数值越大。
    与NMOS一样,导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区,临界饱和点和饱和区。当然,不论NMOS还是PMOS,当未形成反型沟道时,都处于截止区,其电压条件是:
    VGSVGS>VTP (PMOS),
    值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是负值。
    PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。
    MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模大的集成电路
    批发MOS管JST5N60P
    选择到一款正确的MOS管,可以很好地控制生产制造成本,为重要的是,为产品匹配了一款恰当的元器件,这在产品未来的使用过程中,将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到、稳定、持久的应用效果。那么面对市面上琳琅满目的MOS管,该如何选择呢?下面,我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。
    MOS管是电子制造的基本元件,但面对不同封装、不同特性、不同的MOS管时,该如何抉择?有没有省心、省力的遴选方法?
    首先是确定N、P沟道的选择
    MOS管有两种结构形式,即N沟道型和P沟道型,结构不一样,使用的电压极性也会不一样,因此,在确定选择哪种产品前,首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
    MOS管选型技巧
    MOS管的两种结构:N沟道型和P沟道型
    在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
    当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
    要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中简易执行的方法。
    第二步是确定电压
    额定电压越大,器件的成本就越高。从成本角度考虑,还需要确定所需的额定电压,即器件所能承受的大电压。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压,一般会留出1.2~1.5倍的电压余量,这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。
    就选择MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的大电压,即大VDS。由于MOS管所能承受的大电压会随温度变化而变化,设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。
    此外,设计工程师还需要考虑其他安全因素:如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外,不同应用的额定电压也有所不同;通常便携式设备选用20V的MOS管,FPGA电源为20~30V的MOS管,85~220V AC应用时MOS管VDS为450~600V。
    第三步为确定电流
    确定完电压后,接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定,MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的大电流;与电压的情况相似,MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。电流的确定需从两个方面着手:连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的大电流,只需直接选择能承受这个大电流的器件便可。
    选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的导通电阻RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算(Iload:大直流输出电流),由于导通电阻会随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。
    对系统设计人员来说,这就需要折中权衡。对便携式设计来说,采用较低的电压即可(较为普遍);而对于工业设计来说,可采用较高的电压。需要注意的是,RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。
    技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高大VDS(漏源额定电压)时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术,如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术,其中主要的是沟道和电荷平衡技术。
    第四步是确定热要求
    在确定电流之后,就要计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况:坏情况和真实情况。建议采用针对坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据,比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻,以及大的结温。
    器件的结温等于大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积,即结温=大环境温度+(热阻×功率耗散)。根据这个方程可解出系统的大功率耗散=I2×RDS(ON)。
    由于设计人员已确定将要通过器件的大电流,因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是,在处理简单热模型时,设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。
    雪崩击穿(指半导体器件上的反向电压超过大值,并形成强电场使器件内电流增加)形成的电流将耗散功率,使器件温度升高,而且有可能损坏器件。半导体公司都会对器件进行雪崩测试,计算其雪崩电压,或对器件的稳健性进行测试。
    计算额定雪崩电压有两种方法;一是统计法,另一是热计算。而热计算因为较为实用而得到广泛采用。除计算外,技术对雪崩效应也有很大影响。例如,晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力,终提高器件的稳健性。对终用户而言,这意味着要在系统中采用更大的封装件。
    第五步是确定开关性能
    选择MOS管的后一步是确定其开关性能。影响开关性能的参数有很多,但重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。因为在每次开关时都要对这些电容充电,会在器件中产生开关损耗;MOS管的开关速度也因此被降低,器件效率随之下降;其中,栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响大。
    为计算开关过程中器件的总损耗,设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff),进而推导出MOS管开关总功率:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。
    MOS管选型技巧
    增强型NMOS管构成的开关电路
    第六步为封装因素考量
    不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率,需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素),基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下,选取参数和封装更通用的功率MOS管。
    常见的MOS管封装有:
    ①插入式封装:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92;
    ②表面贴装式:TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3;
    MOS管选型技巧
    TO封装MOS管
    不同的封装形式,MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样,简单介绍如下。
    TO-3P/247:是中高压、大电流MOS管常用的封装形式,产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点,适于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。
    TO-220/220F:这两种封装样式的MOS管外观差不多,可以互换使用,不过TO-220背部有散热片,其散热效果比TO-220F要好些,价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。
    TO-251:该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积,主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。
    TO-92:该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用,主要是为了降低成本。
    TO-263:是TO-220的一个变种,主要是为了提高生产效率和散热而设计,支持极高的电流和电压,在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。
    TO-252:是目前主流封装之一,适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。
    SOP-8:该封装同样是为降低成本而设计,一般在50A以下的中压、60V左右的低压MOS管中较为多见。
    SOT-23:适于几A电流、60V及以下电压环境中采用,其又分有大体积和小体积两种,主要区别在于电流值不同。
    第七步要选择好
    MOS管的生产企业很多,大致说来,主要有欧美系、日系、韩系、台系、国产几大系列。
    欧美系代表企业:IR、ST、仙童、安森美、TI、PI、英飞凌等;
    日系代表企业:东芝、瑞萨、新电元等;
    韩系代表企业:KEC、AUK、美格纳、森名浩、威士顿、信安、KIA等;
    台系代表企业:APEC、CET;
    国产代表企业:吉林华微、士兰微、华润华晶、东光微、深爱半导体等。
    在这些中,以欧美系企业的产品种类全、技术及性能优,从性能效果考虑,是为MOS管的;以瑞萨、东芝为代表的日系企业也是MOS管的高端,同样具有很强的竞争优势;这些也是市面上被仿冒多的。另外,由于价值、技术优势等原因,欧美系和日系企业的产品价格也往往较高。
    韩国和中国台湾的MOS管企业也是行业的重要产品供应商,不过在技术上,要稍弱于欧美及日系企业,但在价格方面,较欧美及日系企业更具优势;性价比相对高很多。
    而在中国大陆,同样活跃着一批本土企业,他们借助更低的成本优势和更快的客户服务响应速度,在中低端及细分领域具有很强的竞争力,部分实现了国产替代;目前也在不断冲击高端产品线,以满足本土客户的需求。另外,本土企业还通过资本运作,成功收购了安世半导体等国际知名的功率器件公司,将更好地满足本土对功率器件的需求。
    总结
    小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的耐压、导通电阻等,不同的应用需求千
    批发MOS管JST5N60P
    晶体管极性:N Channel
    漏极电流, Id 大值:100mA
    电压, Vds 大:30V
    开态电阻, Rds(on):8ohm
    电压 @ Rds测量:4V
    电压, Vgs 高:20V
    功耗:200mW
    工作温度范围:-55°C to +150°C
    封装类型:SOT-323
    封装类型:SOT-323
    晶体管类型:Small Signal
    电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
    电压, Vds 典型值:30V
    电流, Id 连续:10mA
    表面安装器件:表面安装
    阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
    批发MOS管JST5N60P
    韩国金胜特半导体器件,功耗更低,升温更低,可靠性更高,更稳定,性价比更高!
    产品名称 产品型号 封装 代替或兼容
    MOS管 JST2N60U TO-251 FQU2N60/STD2NK60Z-1
    JST2N60D TO-252 FQD2N60/STD2NK60ZT4
    JST2N60P TO-220 FQP2N60/STP2NK60Z
    JST2N60F TO-220F FQPF2N60C/STF2NK60Z
    JST5N60P TO-220 FQP5N60C/KHB4D5N60P
    JST5N60F TO-220F FQPF5N60C/KHB4D5N60F
    JST5N65F TO-220F 4N65/5N65
    JST8N60P TO-220 FQP8N60C/MDP8N60TH
    JST8N60F TO-220F FDPF7N60NZ/MDP8N60TH
    JST8N65F TO-220F 7N65/8N65
    JST10N60F TO-220F FDPF10N60NZ/STP10N60ZFP
    JST10N65F TO-220F 10N65
    JST12N60F TO-220F FDPF12N60NZ/STF12N60Z
    JST12N65F TO-220F 12N65/
    JST8N80F TO-220F FQPF8N80C/STP8N80ZFP
    JST7N80F TO-220F FQPF7N80C/STP7N80ZFP
    JST6N80F TO-220F FQPF6N80C/2SK2605
    JST9N90F TO-3P FQPF9N90C/STP9NK90Z
    JST50N06F TO-220 FQPF50N06/STP50N06F1
    IRF3205 TO-220 IRF3205PBF
    -/gbadchh/-

    http://www.jsdchen.com

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